[工學(공학) ,기술] 반도체工學(공학) 실험 - Annealing(Silcidation)
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작성일 20-09-11 04:30
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이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다.
2. 實驗 방법
가. 實驗 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 實驗 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다. 먼저, 600℃와 700℃에서는 저항 값이 184.73과 195.27로 측정(measurement)되었고, 800℃에서는 573.47로 측정(measurement)되었다.(증착된...
實驗: Annealing(Silcidation)
1. 實驗 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
3) 어닐링을 마친 3개의 시편을 Four Point Probe를 이용하여 면저항을 측정(measurement)한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 變化 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정(measurement)하여 온도에 따라 어떻게 變化하는지
알아본다.(증착된 두께는 모두 같아야 한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 變化 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정(measurement)하여 온도에 따라 어떻게 變化하는지
알아본다. 實驗 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.)
2) Wafer를 급속 열처리 장치(RTP)를 이용하여 600℃ , 700℃, 800℃의 온도에서
40초간 열처리한다. 實驗 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다. 온도가…(skip)
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[工學(공학) ,기술] 반도체工學(공학) 실험 - Annealing(Silcidation)
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[工學(공학) ,기술] 반도체工學(공학) 실험 - Annealing(Silcidation)
다.
순서
실험결과/기타
實驗: Annealing(Silcidation)
1. 實驗 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
3. 결과 및 고찰
표 1 實驗 결과
1회
2회
3회
平均(평균)
600℃
184.4
186.5
183.3
184.73
700℃
192.1
202.8
190.9
195.27
800℃
460.5
630.3
629.6
573.47
(단위 : Ω/cm2)
實驗 결과는 예비 report를 쓸 때 예상한 결과와 비슷한 경향을 보였다.
2. 實驗 방법
가. 實驗 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 實驗 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다. Ni-Silicide는 annealing time에 따라 결합 형태를 달리해서 저항이 달라지는데, 400~700℃에서는 Ni-Si의 결합을 한다.
